碳化硅一維納米資料因為本身的微觀描摹和晶體結(jié)構(gòu)使其具有更多獨特的優(yōu)異功用和愈加廣泛的使用遠景,被普遍認為有望成為第三代寬帶隙半導體資料的重要組成單元。第三代半導體資料即寬禁帶半導體資料,又稱高溫半導體資料,首要包含碳化硅、氮化鎵、氮化鋁、氧化鋅、金剛石等。這類資料具有寬的禁帶寬度(禁帶寬度大于2.2ev)、高的熱導率、高的擊穿電場、高的抗輻射才能、高的電子飽和速率等特點,適用于高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的制造。第三代半導體資料憑借著其優(yōu)異的特性,未來使用遠景非常寬廣。